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特 点
典型应用 说明
1、非绝缘，底板为公共电极 2、国际标准封装3、全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力 4、高浪涌电流 5、低正向压降 1、电焊机电源 2、各种DC电源 3、变频器 4、励磁电源 1、VDSM/VRSM=VDRM/VRRM+100V 2、除非另作说明，IGT,VGT, IH, VTM 为25℃测试值，表中参数皆为在Tjm下的测试值。 3、I²t=I²TSMtW/2; tW=正弦半波电流底宽。在50Hz下，I²t（10ms）=0.005I²TSM（A²s）

注： 1、型号栏中MTx表示MTG、MTA、MTY、MT（NA）、MT（NK）中的任一种。 2、Rth(j-c)为单只芯片的额定值。
电路图：

型号
VDRM
VRRM
IT(AV)
ITSM
I2t
dv/dt
di/dt
IDRM
IRRM
IGT
VGT
IH
VTM/ITM
VTO
rT
Rth(j-c)
Tjm
TC
适用外形
 
10ms
125°C
25°C
125°C
per chip
    
V
A
kA
kA2s
V/μs
A/μs
mA
mA
V
mA
V/A
V
m.ohm
°C/W
°C
°C
800-1800
50
1.2
7.2
800
100
8
100
2.5
180
1.70/150
0.80
5.41
0.480
125
90
800-1800
100
2.5
31
800
100
12
100
2.5
180
1.67/300
0.8
2.45
0.250
125
90
800-1800
150
3.9
76
800
100
12
100
2.5
180
1.67/450
0.80
1.74
0.160
125
90
800-1800
200
5.2
135
800
100
20
150
2.5
180
1.62/600
0.8
1.15
0.130
125
90
800-1800
250
6.7
224
800
100
20
150
2.5
180
1.65/750
0.80
1.02
0.100
125
90
800-1800
300
8.3
344
800
100
25
150
2.5
180
1.58/900
0.80
0.72
0.080
125
90

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